MOSFET

MOSFET

新洁能MOSFET实现大幅度降低电流传导过程中的导通损耗。同时,电流在芯片元胞当中的流通会更加均匀稳定;应对于高频率的开关应用,我们为设计师们提供低开关损耗的系列产品(产品名称后加标C),其有效降低了栅极电荷(Qg),尤其是栅极漏极间的电荷(Qgd),从而在快速开关过程中降低开关功率损耗。

艾合睿供应新洁能MOSFET,包括12-300V N MOSFET,12-150V P MOSFET,500-1050V N MOSFET,12-300V NP MOSFET,1500-1700V N MOSFET。

MOSFET
型号 封装 批号 / 货期(工作日) 询价 库存 操作
 
NCE60N1K0I
品牌:新洁能
说明:500V-1050V的N沟道功率MOSFET
下载:Datasheet
TO-251
批号:2年内
货期:7天
立即询价
NCE60N1K0K
品牌:新洁能
说明:500V-1050V的N沟道功率MOSFET
下载:Datasheet
TO-252
批号:2年内
货期:7天
立即询价
NCE60N1K0R
品牌:新洁能
说明:500V-1050V的N沟道功率MOSFET
下载:Datasheet
SOT-223-2L
批号:2年内
货期:7天
立即询价
NCE60N2K1D
品牌:新洁能
说明:500V-1050V的N沟道功率MOSFET
下载:Datasheet
TO-263-2L
批号:2年内
货期:7天
立即询价
NCE60N2K1F
品牌:新洁能
说明:500V-1050V的N沟道功率MOSFET
下载:Datasheet
TO-220F-3L
批号:2年内
货期:7天
立即询价
NCE60N2K1R
品牌:新洁能
说明:500V-1050V的N沟道功率MOSFET
下载:Datasheet
SOT-223-2L
批号:2年内
货期:7天
立即询价
NCE50N1K8R
品牌:新洁能
说明:500V-1050V的N沟道功率MOSFET
下载:Datasheet
SOT-223-2L
批号:2年内
货期:7天
立即询价
NCE50N1K8F
品牌:新洁能
说明:500V-1050V的N沟道功率MOSFET
下载:Datasheet
TO-220F-3L
批号:2年内
货期:7天
立即询价
NCE50N1K8D
品牌:新洁能
说明:500V-1050V的N沟道功率MOSFET
下载:Datasheet
TO-263-2L
批号:2年内
货期:7天
立即询价
NCEP15P30AK
品牌:新洁能
说明:30-100V P沟道SGT-I系列功率MOSFET
下载:Datasheet
TO-252-2L
批号:2年内
货期:7天
立即询价
NCEP40PT30VD
品牌:新洁能
说明:30-100V P沟道SGT-I系列功率MOSFET
下载:Datasheet
TO-263-7L
批号:2年内
货期:7天
立即询价
NCEP15P30A
品牌:新洁能
说明:30-100V P沟道SGT-I系列功率MOSFET
下载:Datasheet
TO-220-3L
批号:2年内
货期:7天
立即询价
NCEP40PT13GU
品牌:新洁能
说明:30-100V P沟道SGT-I系列功率MOSFET
下载:Datasheet
DFN5*6
批号:2年内
货期:7天
立即询价
NCEP40PT13D
品牌:新洁能
说明:30-100V P沟道SGT-I系列功率MOSFET
下载:Datasheet
TO-263
批号:2年内
货期:7天
立即询价
NCEP40PT12K
品牌:新洁能
说明:30-100V P沟道SGT-I系列功率MOSFET
下载:Datasheet
TO-252
批号:2年内
货期:7天
立即询价
NCEP40P60K
品牌:新洁能
说明:30-100V P沟道SGT-I系列功率MOSFET
下载:Datasheet
TO-252
批号:2年内
货期:7天
立即询价
NCEP40P60G
品牌:新洁能
说明:30-100V P沟道SGT-I系列功率MOSFET
下载:Datasheet
DFN5*6
批号:2年内
货期:7天
立即询价
NCEP40P35GU
品牌:新洁能
说明:30-100V P沟道SGT-I系列功率MOSFET
下载:Datasheet
DFN5*6
批号:2年内
货期:7天
立即询价
NCEP40P30Q
品牌:新洁能
说明:30-100V P沟道SGT-I系列功率MOSFET
下载:Datasheet
DFN3*3
批号:2年内
货期:7天
立即询价
NCEP40P30K
品牌:新洁能
说明:30-100V P沟道SGT-I系列功率MOSFET
下载:Datasheet
TO-252
批号:2年内
货期:7天
立即询价