MOSFET

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新洁能MOSFET实现大幅度降低电流传导过程中的导通损耗。同时,电流在芯片元胞当中的流通会更加均匀稳定;应对于高频率的开关应用,我们为设计师们提供低开关损耗的系列产品(产品名称后加标C),其有效降低了栅极电荷(Qg),尤其是栅极漏极间的电荷(Qgd),从而在快速开关过程中降低开关功率损耗。

艾合睿供应新洁能MOSFET,包括12-300V N MOSFET,12-150V P MOSFET,500-1050V N MOSFET,12-300V NP MOSFET,1500-1700V N MOSFET。

MOSFET
型号 封装 批号 / 货期(工作日) 询价 库存 操作
 
NCE2012
品牌:新洁能
说明:12-200V N 沟槽型功率MOSFET
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SOP-8
批号:2年内
货期:7天
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NCE3416*
品牌:新洁能
说明:12-200V N 沟槽型功率MOSFET
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SOT-23
批号:2年内
货期:7天
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NCE3420
品牌:新洁能
说明:12-200V N 沟槽型功率MOSFET
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SOT-23
批号:2年内
货期:7天
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NCE2006Y
品牌:新洁能
说明:12-200V N 沟槽型功率MOSFET
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SOT-23
批号:2年内
货期:7天
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NCE2312A
品牌:新洁能
说明:12-200V N 沟槽型功率MOSFET
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SOT-23
批号:2年内
货期:7天
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NCE2312
品牌:新洁能
说明:12-200V N 沟槽型功率MOSFET
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SOT-23
批号:2年内
货期:7天
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NCE2004Y
品牌:新洁能
说明:12-200V N 沟槽型功率MOSFET
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SOT-23
批号:2年内
货期:7天
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NCE2302
品牌:新洁能
说明:12-200V N 沟槽型功率MOSFET
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SOT-23
批号:2年内
货期:7天
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NCE2302B
品牌:新洁能
说明:12-200V N 沟槽型功率MOSFET
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SOT-23
批号:2年内
货期:7天
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NCE2302C
品牌:新洁能
说明:12-200V N 沟槽型功率MOSFET
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SOT-23
批号:2年内
货期:7天
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NCE2302D
品牌:新洁能
说明:12-200V N 沟槽型功率MOSFET
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SOT-23
批号:2年内
货期:7天
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NCE1012E*
品牌:新洁能
说明:12-200V N 沟槽型功率MOSFET
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SOT-523
批号:2年内
货期:7天
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NCE3134*
品牌:新洁能
说明:12-200V N 沟槽型功率MOSFET
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SOT-23
批号:2年内
货期:7天
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NCE1608N
品牌:新洁能
说明:12-200V N 沟槽型功率MOSFET
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SOT-23
批号:2年内
货期:7天
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NCE3404X
品牌:新洁能
说明:12-200V N 沟槽型功率MOSFET
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SOT-23
批号:2年内
货期:7天
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NCE020N30K
品牌:新洁能
说明:12-200V N 沟槽型功率MOSFET
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TO-252-2L
批号:2年内
货期:7天
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NCE30H10BK
品牌:新洁能
说明:12-200V N 沟槽型功率MOSFET
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TO-252-2L
批号:2年内
货期:7天
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NCE035N30G
品牌:新洁能
说明:12-200V N 沟槽型功率MOSFET
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DFN 5*6
批号:2年内
货期:7天
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NCE035N30K
品牌:新洁能
说明:12-200V N 沟槽型功率MOSFET
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TO-252-2L
批号:2年内
货期:7天
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NCE042N30K
品牌:新洁能
说明:12-200V N 沟槽型功率MOSFET
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TO-252-2L
批号:2年内
货期:7天
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