MOSFET

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新洁能MOSFET实现大幅度降低电流传导过程中的导通损耗。同时,电流在芯片元胞当中的流通会更加均匀稳定;应对于高频率的开关应用,我们为设计师们提供低开关损耗的系列产品(产品名称后加标C),其有效降低了栅极电荷(Qg),尤其是栅极漏极间的电荷(Qgd),从而在快速开关过程中降低开关功率损耗。

艾合睿供应新洁能MOSFET,包括12-300V N MOSFET,12-150V P MOSFET,500-1050V N MOSFET,12-300V NP MOSFET,1500-1700V N MOSFET。

MOSFET
型号 封装 批号 / 货期(工作日) 询价 库存 操作
 
NCE30H12K
品牌:新洁能
说明:12-200V N 沟槽型功率MOSFET
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TO-252
批号:2年内
货期:7天
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NCE30H11G
品牌:新洁能
说明:12-200V N 沟槽型功率MOSFET
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DFN5*6
批号:2年内
货期:7天
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NCE30H11BG
品牌:新洁能
说明:12-200V N 沟槽型功率MOSFET
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DFN5*6
批号:2年内
货期:7天
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NCE30H11BK
品牌:新洁能
说明:12-200V N 沟槽型功率MOSFET
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TO-252
批号:2年内
货期:7天
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NCE30H11K
品牌:新洁能
说明:12-200V N 沟槽型功率MOSFET
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TO-252
批号:2年内
货期:7天
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NCE30H10G
品牌:新洁能
说明:12-200V N 沟槽型功率MOSFET
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DFN5*6
批号:2年内
货期:7天
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NCE30H10K
品牌:新洁能
说明:12-200V N 沟槽型功率MOSFET
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TO-252
批号:2年内
货期:7天
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NCE30H10
品牌:新洁能
说明:12-200V N 沟槽型功率MOSFET
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TO-220
批号:2年内
货期:7天
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NCE3095G
品牌:新洁能
说明:12-200V N 沟槽型功率MOSFET
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DFN5*6
批号:2年内
货期:7天
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NCE3095K
品牌:新洁能
说明:12-200V N 沟槽型功率MOSFET
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TO-252
批号:2年内
货期:7天
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NCE3090K
品牌:新洁能
说明:12-200V N 沟槽型功率MOSFET
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TO-252
批号:2年内
货期:7天
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NCE3080IA
品牌:新洁能
说明:12-200V N 沟槽型功率MOSFET
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TO-251
批号:2年内
货期:7天
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NCE3080KA
品牌:新洁能
说明:12-200V N 沟槽型功率MOSFET
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TO-252
批号:2年内
货期:7天
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NCE3080L
品牌:新洁能
说明:12-200V N 沟槽型功率MOSFET
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TO-251S
批号:2年内
货期:7天
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NCE3080I
品牌:新洁能
说明:12-200V N 沟槽型功率MOSFET
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TO-251
批号:2年内
货期:7天
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NCE3080K
品牌:新洁能
说明:12-200V N 沟槽型功率MOSFET
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TO-252
批号:2年内
货期:7天
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NCE3065Q
品牌:新洁能
说明:12-200V N 沟槽型功率MOSFET
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DFN3*3
批号:2年内
货期:7天
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NCE3065G
品牌:新洁能
说明:12-200V N 沟槽型功率MOSFET
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DFN5*6
批号:2年内
货期:7天
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NCE3050KA
品牌:新洁能
说明:12-200V N 沟槽型功率MOSFET
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TO-252
批号:2年内
货期:7天
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NCE3050K
品牌:新洁能
说明:12-200V N 沟槽型功率MOSFET
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TO-252
批号:2年内
货期:7天
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