新洁能

CEPOWER
新洁能

艾合睿供应销售新洁能MOSFET、IGBT等半导体芯片和功率器件,其中优势产品为沟槽型大功率MOS器件,中低压MOS,超结MOS器件,600-650V IGBT,1200-1350V IGBT。

常出优势料号:

NCE3095K-JY TO-252-2L,NCE3080K TO-252-2L,NCE30ND35Q DFN3.3x3.3-8L,NCE6080K TO-252-2L,NCEP40P80K-BDAT TO-252-2L,NCE70T900I TO-251,NCE65T900K T0-252,NCE60PO4Y SOT-23-3L。

新洁能
型号 封装 批号 / 货期(工作日) 询价 库存 操作
 
NCE30P28Q
品牌:新洁能
说明:12V~150V 沟槽型功率MOSFET
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DFN3*3
批号:2年内
货期:7天
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NCE40T120WD
品牌:新洁能
说明:1200V-1350V N沟道IGBT器件
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TO-263
批号:2年内
货期:7天
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NCE20TD60BF
品牌:新洁能
说明:1200V-1350V N沟道IGBT器件
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TO-220F
批号:2年内
货期:7天
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NCE15TD120BD
品牌:新洁能
说明:1200V-1350V N沟道IGBT器件
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TO-263
批号:2年内
货期:7天
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NCE75T120VT
品牌:新洁能
说明:1200V-1350V N沟道IGBT器件
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TO-247
批号:2年内
货期:7天
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NCE75TD120BTP4
品牌:新洁能
说明:1200V-1350V N沟道IGBT器件
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TO-247P-4L
批号:2年内
货期:7天
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NCE75TD120BT4
品牌:新洁能
说明:1200V-1350V N沟道IGBT器件
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TO-247-4L
批号:2年内
货期:7天
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NCE75TD120WT4
品牌:新洁能
说明:1200V-1350V N沟道IGBT器件
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TO-247-4L
批号:2年内
货期:7天
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NCE25TD120W
品牌:新洁能
说明:1200V-1350V N沟道IGBT器件
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TO-220
批号:2年内
货期:7天
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NCE25TC120HD
品牌:新洁能
说明:1200V-1350V N沟道IGBT器件
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TO-263
批号:2年内
货期:7天
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NCE100TD120VTP4
品牌:新洁能
说明:1200V-1350V N沟道IGBT器件
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TO-247P-4L
批号:2年内
货期:7天
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NCE25TD120VD
品牌:新洁能
说明:1200V-1350V N沟道IGBT器件
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TO-263
批号:2年内
货期:7天
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NCE25TD120VTP
品牌:新洁能
说明:1200V-1350V N沟道IGBT器件
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TO-247P
批号:2年内
货期:7天
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NCE40T120VT
品牌:新洁能
说明:1200V-1350V N沟道IGBT器件
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TO-247
批号:2年内
货期:7天
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NCE25TD120HT
品牌:新洁能
说明:1200V-1350V N沟道IGBT器件
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TO-247
批号:2年内
货期:7天
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NCE50TD120VTP
品牌:新洁能
说明:1200V-1350V N沟道IGBT器件
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TO-247P
批号:2年内
货期:7天
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NCE25TD120VT
品牌:新洁能
说明:1200V-1350V N沟道IGBT器件
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TO-247
批号:2年内
货期:7天
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NCE40TD120VTP
品牌:新洁能
说明:1200V-1350V N沟道IGBT器件
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TO-247P
批号:2年内
货期:7天
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NCE40TD135LP
品牌:新洁能
说明:1200V-1350V N沟道IGBT器件
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TO-3P
批号:2年内
货期:7天
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NCE40TD135LT
品牌:新洁能
说明:1200V-1350V N沟道IGBT器件
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TO-247
批号:2年内
货期:7天
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