新洁能

CEPOWER
新洁能

艾合睿供应销售新洁能MOSFET、IGBT等半导体芯片和功率器件,其中优势产品为沟槽型大功率MOS器件,中低压MOS,超结MOS器件,600-650V IGBT,1200-1350V IGBT。

常出优势料号:

NCE3095K-JY TO-252-2L,NCE3080K TO-252-2L,NCE30ND35Q DFN3.3x3.3-8L,NCE6080K TO-252-2L,NCEP40P80K-BDAT TO-252-2L,NCE70T900I TO-251,NCE65T900K T0-252,NCE60PO4Y SOT-23-3L。

新洁能
型号 封装 批号 / 货期(工作日) 询价 库存 操作
 
NCE30TD60BF
品牌:新洁能
说明:600-650V N沟道IGBT器件
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TO-220F
批号:2年内
货期:7天
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NCE20TH60BP
品牌:新洁能
说明:600-650V N沟道IGBT器件
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TO-3P
批号:2年内
货期:7天
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NCE20TH60BF
品牌:新洁能
说明:600-650V N沟道IGBT器件
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TO-220F
批号:2年内
货期:7天
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NCE20TD60BT
品牌:新洁能
说明:600-650V N沟道IGBT器件
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TO-247
批号:2年内
货期:7天
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NCE20TD60BP
品牌:新洁能
说明:600-650V N沟道IGBT器件
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TO-3P
批号:2年内
货期:7天
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NCE15TD60BD
品牌:新洁能
说明:600-650V N沟道IGBT器件
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TO-263
批号:2年内
货期:7天
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NCE15T60BD
品牌:新洁能
说明:600-650V N沟道IGBT器件
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TO-263
批号:2年内
货期:7天
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NCE15TD60B
品牌:新洁能
说明:600-650V N沟道IGBT器件
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TO-220
批号:2年内
货期:7天
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NCE10TD60BK
品牌:新洁能
说明:600-650V N沟道IGBT器件
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TO-252
批号:2年内
货期:7天
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NCE10TD60BD
品牌:新洁能
说明:600-650V N沟道IGBT器件
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TO-263
批号:2年内
货期:7天
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NCE10TD60B
品牌:新洁能
说明:600-650V N沟道IGBT器件
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TO-220
批号:2年内
货期:7天
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NCE10TD60BF
品牌:新洁能
说明:600-650V N沟道IGBT器件
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TO-220F
批号:2年内
货期:7天
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NCE07TD60BK
品牌:新洁能
说明:600-650V N沟道IGBT器件
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TO-252
批号:2年内
货期:7天
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NCE07TD60BI
品牌:新洁能
说明:600-650V N沟道IGBT器件
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TO-251
批号:2年内
货期:7天
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NCE07T60BI
品牌:新洁能
说明:600-650V N沟道IGBT器件
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TO-251
批号:2年内
货期:7天
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NCE07TD60BD
品牌:新洁能
说明:600-650V N沟道IGBT器件
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TO-263
批号:2年内
货期:7天
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NCE07TD60B
品牌:新洁能
说明:600-650V N沟道IGBT器件
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TO-220
批号:2年内
货期:7天
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NCE07TD60BF
品牌:新洁能
说明:600-650V N沟道IGBT器件
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TO-220F
批号:2年内
货期:7天
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NCE105N1K1F
品牌:新洁能
说明:500V-1050V的N沟道功率MOSFET
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TO-220F
批号:2年内
货期:7天
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NCE105N1K8F
品牌:新洁能
说明:500V-1050V的N沟道功率MOSFET
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TO-220F
批号:2年内
货期:7天
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