新洁能

CEPOWER
新洁能

艾合睿供应销售新洁能MOSFET、IGBT等半导体芯片和功率器件,其中优势产品为沟槽型大功率MOS器件,中低压MOS,超结MOS器件,600-650V IGBT,1200-1350V IGBT。

常出优势料号:

NCE3095K-JY TO-252-2L,NCE3080K TO-252-2L,NCE30ND35Q DFN3.3x3.3-8L,NCE6080K TO-252-2L,NCEP40P80K-BDAT TO-252-2L,NCE70T900I TO-251,NCE65T900K T0-252,NCE60PO4Y SOT-23-3L。

新洁能
型号 封装 批号 / 货期(工作日) 询价 库存 操作
 
NCE15TD120LT
品牌:新洁能
说明:1200V-1350V N沟道IGBT器件
下载:Datasheet
TO-247
批号:2年内
货期:7天
立即询价
NCE100TD120BTP
品牌:新洁能
说明:1200V-1350V N沟道IGBT器件
下载:Datasheet
TO-247P
批号:2年内
货期:7天
立即询价
NCE40TD120BT
品牌:新洁能
说明:1200V-1350V N沟道IGBT器件
下载:Datasheet
TO-247
批号:2年内
货期:7天
立即询价
NCE25TD120BT
品牌:新洁能
说明:1200V-1350V N沟道IGBT器件
下载:Datasheet
TO-247
批号:2年内
货期:7天
立即询价
NCE15TD120BT
品牌:新洁能
说明:1200V-1350V N沟道IGBT器件
下载:Datasheet
TO-247
批号:2年内
货期:7天
立即询价
NCE40TD65B
品牌:新洁能
说明:600-650V N沟道IGBT器件
下载:Datasheet
TO-220
批号:2年内
货期:7天
立即询价
NCE40TH60BT
品牌:新洁能
说明:600-650V N沟道IGBT器件
下载:Datasheet
TO-247
批号:2年内
货期:7天
立即询价
NCE40TD65BP
品牌:新洁能
说明:600-650V N沟道IGBT器件
下载:Datasheet
TO-3P
批号:2年内
货期:7天
立即询价
NCE15TD60BT
品牌:新洁能
说明:600-650V N沟道IGBT器件
下载:Datasheet
TO-247
批号:2年内
货期:7天
立即询价
NCE15TD65BP
品牌:新洁能
说明:600-650V N沟道IGBT器件
下载:Datasheet
TO-3P
批号:2年内
货期:7天
立即询价
NCE15TD65BT
品牌:新洁能
说明:600-650V N沟道IGBT器件
下载:Datasheet
TO-247
批号:2年内
货期:7天
立即询价
NCE15TD65BF
品牌:新洁能
说明:600-650V N沟道IGBT器件
下载:Datasheet
TO-220F
批号:2年内
货期:7天
立即询价
NCE15TD60BF
品牌:新洁能
说明:600-650V N沟道IGBT器件
下载:Datasheet
TO-220F
批号:2年内
货期:7天
立即询价
NCE40ER65BP
品牌:新洁能
说明:600-650V N沟道IGBT器件
下载:Datasheet
TO-3P
批号:2年内
货期:7天
立即询价
NCE40ER65BT
品牌:新洁能
说明:600-650V N沟道IGBT器件
下载:Datasheet
TO-247
批号:2年内
货期:7天
立即询价
NCE80TC65BT
品牌:新洁能
说明:600-650V N沟道IGBT器件
下载:Datasheet
TO-247
批号:2年内
货期:7天
立即询价
NCE30TD65BD
品牌:新洁能
说明:600-650V N沟道IGBT器件
下载:Datasheet
TO-263
批号:2年内
货期:7天
立即询价
NCE30TD65BP
品牌:新洁能
说明:600-650V N沟道IGBT器件
下载:Datasheet
TO-3P
批号:2年内
货期:7天
立即询价
NCE30TD65BT
品牌:新洁能
说明:600-650V N沟道IGBT器件
下载:Datasheet
TO-247
批号:2年内
货期:7天
立即询价
NCE40ER65BPF
品牌:新洁能
说明:600-650V N沟道IGBT器件
下载:Datasheet
TO-3PF
批号:2年内
货期:7天
立即询价