新洁能

CEPOWER
新洁能

艾合睿供应销售新洁能MOSFET、IGBT等半导体芯片和功率器件,其中优势产品为沟槽型大功率MOS器件,中低压MOS,超结MOS器件,600-650V IGBT,1200-1350V IGBT。

常出优势料号:

NCE3095K-JY TO-252-2L,NCE3080K TO-252-2L,NCE30ND35Q DFN3.3x3.3-8L,NCE6080K TO-252-2L,NCEP40P80K-BDAT TO-252-2L,NCE70T900I TO-251,NCE65T900K T0-252,NCE60PO4Y SOT-23-3L。

新洁能
型号 封装 批号 / 货期(工作日) 询价 库存 操作
 
NCE30H12K
品牌:新洁能
说明:12-200V N 沟槽型功率MOSFET
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TO-252
批号:2年内
货期:7天
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NCE30H11G
品牌:新洁能
说明:12-200V N 沟槽型功率MOSFET
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DFN5*6
批号:2年内
货期:7天
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NCE30H11BG
品牌:新洁能
说明:12-200V N 沟槽型功率MOSFET
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DFN5*6
批号:2年内
货期:7天
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NCE30H11BK
品牌:新洁能
说明:12-200V N 沟槽型功率MOSFET
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TO-252
批号:2年内
货期:7天
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NCE30H11K
品牌:新洁能
说明:12-200V N 沟槽型功率MOSFET
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TO-252
批号:2年内
货期:7天
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NCE30H10G
品牌:新洁能
说明:12-200V N 沟槽型功率MOSFET
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DFN5*6
批号:2年内
货期:7天
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NCE30H10K
品牌:新洁能
说明:12-200V N 沟槽型功率MOSFET
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TO-252
批号:2年内
货期:7天
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NCE30H10
品牌:新洁能
说明:12-200V N 沟槽型功率MOSFET
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TO-220
批号:2年内
货期:7天
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NCE3095G
品牌:新洁能
说明:12-200V N 沟槽型功率MOSFET
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DFN5*6
批号:2年内
货期:7天
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NCE3095K
品牌:新洁能
说明:12-200V N 沟槽型功率MOSFET
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TO-252
批号:2年内
货期:7天
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NCE3090K
品牌:新洁能
说明:12-200V N 沟槽型功率MOSFET
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TO-252
批号:2年内
货期:7天
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NCE3080IA
品牌:新洁能
说明:12-200V N 沟槽型功率MOSFET
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TO-251
批号:2年内
货期:7天
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NCE3080KA
品牌:新洁能
说明:12-200V N 沟槽型功率MOSFET
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TO-252
批号:2年内
货期:7天
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NCE3080L
品牌:新洁能
说明:12-200V N 沟槽型功率MOSFET
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TO-251S
批号:2年内
货期:7天
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NCE3080I
品牌:新洁能
说明:12-200V N 沟槽型功率MOSFET
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TO-251
批号:2年内
货期:7天
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NCE3080K
品牌:新洁能
说明:12-200V N 沟槽型功率MOSFET
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TO-252
批号:2年内
货期:7天
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NCE3065Q
品牌:新洁能
说明:12-200V N 沟槽型功率MOSFET
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DFN3*3
批号:2年内
货期:7天
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NCE3065G
品牌:新洁能
说明:12-200V N 沟槽型功率MOSFET
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DFN5*6
批号:2年内
货期:7天
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NCE3050KA
品牌:新洁能
说明:12-200V N 沟槽型功率MOSFET
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TO-252
批号:2年内
货期:7天
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NCE3050K
品牌:新洁能
说明:12-200V N 沟槽型功率MOSFET
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TO-252
批号:2年内
货期:7天
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