新洁能

CEPOWER
新洁能

艾合睿供应销售新洁能MOSFET、IGBT等半导体芯片和功率器件,其中优势产品为沟槽型大功率MOS器件,中低压MOS,超结MOS器件,600-650V IGBT,1200-1350V IGBT。

常出优势料号:

NCE3095K-JY TO-252-2L,NCE3080K TO-252-2L,NCE30ND35Q DFN3.3x3.3-8L,NCE6080K TO-252-2L,NCEP40P80K-BDAT TO-252-2L,NCE70T900I TO-251,NCE65T900K T0-252,NCE60PO4Y SOT-23-3L。

新洁能
型号 封装 批号 / 货期(工作日) 询价 库存 操作
 
NCE3055
品牌:新洁能
说明:12-200V N 沟槽型功率MOSFET
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SOT-89
批号:2年内
货期:7天
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NCE6003M
品牌:新洁能
说明:12-200V N 沟槽型功率MOSFET
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SOT-89
批号:2年内
货期:7天
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NCE6003Y
品牌:新洁能
说明:12-200V N 沟槽型功率MOSFET
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SOT-23
批号:2年内
货期:7天
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NCE6003X
品牌:新洁能
说明:12-200V N 沟槽型功率MOSFET
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SOT-23
批号:2年内
货期:7天
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NCE72R60D *
品牌:新洁能
说明:12-200V N 沟槽型功率MOSFET
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DFN 1*1
批号:2年内
货期:7天
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2N7002K *
品牌:新洁能
说明:12-200V N 沟槽型功率MOSFET
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SOT-23
批号:2年内
货期:7天
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NCE55H12
品牌:新洁能
说明:12-200V N 沟槽型功率MOSFET
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TO-220
批号:2年内
货期:7天
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NCE5520Q
品牌:新洁能
说明:12-200V N 沟槽型功率MOSFET
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DFN3*3
批号:2年内
货期:7天
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NCE5080K
品牌:新洁能
说明:12-200V N 沟槽型功率MOSFET
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TO-252
批号:2年内
货期:7天
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NCE5055K
品牌:新洁能
说明:12-200V N 沟槽型功率MOSFET
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TO-252
批号:2年内
货期:7天
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NCE5020Q
品牌:新洁能
说明:12-200V N 沟槽型功率MOSFET
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DFN3*3
批号:2年内
货期:7天
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NCE5015S
品牌:新洁能
说明:12-200V N 沟槽型功率MOSFET
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SOP-8
批号:2年内
货期:7天
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NCE4558K
品牌:新洁能
说明:12-200V N 沟槽型功率MOSFET
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TO-252
批号:2年内
货期:7天
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NCE4528K
品牌:新洁能
说明:12-200V N 沟槽型功率MOSFET
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TO-252
批号:2年内
货期:7天
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NCE40H11K
品牌:新洁能
说明:12-200V N 沟槽型功率MOSFET
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TO-252
批号:2年内
货期:7天
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NCE40H25LL
品牌:新洁能
说明:12-200V N 沟槽型功率MOSFET
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TOLL
批号:2年内
货期:7天
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NCE40H10K
品牌:新洁能
说明:12-200V N 沟槽型功率MOSFET
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TO-252
批号:2年内
货期:7天
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NCE40H32LL
品牌:新洁能
说明:12-200V N 沟槽型功率MOSFET
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TOLL
批号:2年内
货期:7天
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NCE40H30D
品牌:新洁能
说明:12-200V N 沟槽型功率MOSFET
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TO-263
批号:2年内
货期:7天
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NCE40H29D
品牌:新洁能
说明:12-200V N 沟槽型功率MOSFET
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TO-263
批号:2年内
货期:7天
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